Chair of Circuit Designs
Technical University of Munich (TUM) - Arcisstr. 21 - 80333 München
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Forschergruppe 395

Ausgewählte Materialien und Bauelemente
für die Siliziumhöchstintegration




Münchner Forscher der Technischen Universität und der Universität der Bundeswehr haben sich in dieser interdisziplinär angelegten Forschergruppe (Sprecherin: D. Schmitt-Landsiedel, Lehrstuhl für Technische Elektronik, TU-München) aus den Fachrichtungen Elektrotechnik, Physik und Chemie zusammen gefunden, um durch frühzeitige Erforschung ungelöster Problemstellungen zum Fortschritt der Mikroelektronik im Zeitraum der nächsten 15 Jahre beizutragen. Dabei werden solche Fragen aufgegriffen, die weit im Vorfeld der internationalen industriellen Aktivitäten liegen und für die interdisziplinäre Kompetenz bei den Partnern der Forschergruppe vorhanden ist. In Projekten aus den Bereichen der Werkstoffe, Prozesse, Bauelemente und Schaltungen sollen einerseits neue, alternative Wege erprobt werden. Andererseits soll das materialwissenschaftliche und physikalische Verständnis von kritischen Aspekten kommender Technologiegenerationen vertieft werden.

Das Zusammenwirken aller beteiligten Gruppen der unterschiedlichen Fachrichtungen aus dem Bereich und Umfeld der Elektrotechnik stellt einen ganz wesentlichen Erfolgsfaktor auf diesem stark kompetitiven Forschungsgebiet dar. Die gemeinsame Zielsetzung ist das Erarbeiten von Innovationen, die sukzessive zum Fortschritt der Mikroelektronik beitragen sollen. Die Forschergruppe 395 nahm mit Beginn des Jahres 2001 ihre Arbeit auf.

Die Forschergruppe gliedert sich in folgende Teilprojekte:


Teilprojekt Titel des Teilprojekts Fachgebiet und Arbeitsrichtung Leiter/in, Institut, Ort
F1 Rationales Design von neuen Materialien für die Mikroelektronik Chemie J. Lercher, Lehrstuhl II für Technische Chemie, TUM, Garching
F2 Silbermetallisierung Elektrotechnik,
Physik
D. Schmitt-Landsiedel, Lehrstuhl für Technische Elektronik, TUM, München
F3 Charakterisierung von inneren Grenzflächen im Hinblick auf ultraflache Kontakte und vergrabene Heterostrukturen Physik,
Elektrotechnik
G. Dollinger, Inst. f. Angew. Physik und Messtechnik, UniBwM, Neubiberg
F4 Vertikale MOS-Bauelemente: Konventionelle und quantenmechanische Konzepte Elektrotechnik,
Physik
I. Eisele, Inst. f. Physik, UniBwM, Neubiberg
F6 Höchstintegrationsfähiger Esaki-Tunneltransistor Elektrotechnik W. Hansch, Lehrstuhl f. Technische Elektronik, TUM, München
F7 Der Tunneltransistor in matrixförmigen Schaltungen und Sensoren Elektrotechnik D. Schmitt-Landsiedel, Lehrstuhl f. Technische Elektronik, TUM, München

TUM = Technische Universität München; UniBwM = Universität der Bundeswehr München